三星申請半導體器件專利，提高電子系統性能

2024年4月9日消息，據國家知識產權局公告，三星電子株式會社申請一項名為“半導體器件和包括半導體器件的電子系統“，公開號CN117858506A，申請日期為2023年9月。

專利摘要顯示，一種半導體器件包括：第一半導體結構，包括在第一襯底上的電路元件、連接到電路元件的下互連結構、以及覆蓋電路元件的外圍區域絕緣層;以及第二半導體結構，包括在第一襯底上的第二襯底、包括彼此間隔開并堆疊在第二襯底上的第一柵電極和第二柵電極的第一堆疊結構、與第一柵電極和第二柵電極交替堆疊的層間絕緣層、穿過第一柵電極和第二柵電極的第一接觸插塞和第二接觸插塞、以及與層間絕緣層交替設置并圍繞接觸插塞的接觸插塞絕緣層。第二半導體結構包括第一電容器結構，該第一電容器結構包括第一柵電極、(多個)接觸插塞絕緣層和第二接觸插塞，或者第二柵電極、(多個)接觸插塞絕緣層和第一接觸插塞。

(關鍵字：半導體)