從硅基氮化鎵LED進展看半導體照明未來

2019年11月25日下午，第十六屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA 2019)暨2019國際第三代半導體論壇(IFWS 2019)開幕大會在深圳會展中心隆重召開。本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)主辦，并得到深圳市龍華區科技創新局特別支持。國家科學技術部高新技術司、國家科學技術部國際合作司、國家工業和信息化部原材料工業司、國家節能中心、國家新材料產業發展專家咨詢委員會、深圳市科技創新委員會等大力支持。深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦。

硅基氮化鎵LED技術具有眾多優勢，比如可大幅降低制造成本，提高散熱表現等，與LED的未來發展密切相關，該技術也是業界一直關注的方向。南昌大學副校長、國家硅基LED工程技術研究中心教授江風益帶來了“從硅基氮化鎵LED進展看半導體照明未來”的主題報告，分享了硅基氮化鎵LED的最新進展以及半導體照明更廣闊的可能性。

在我國國內，南昌大學副校長、國家硅基LED工程技術研究中心教授江風益在硅基氮化鎵LED方向取得了開拓性、系統性、創造性成就，帶領團隊在國際上率先研制成功高光效硅基氮化鎵藍光、綠光和黃光LED材料與芯片，并實現了產業化，獲國家技術發明獎一等獎和全球半導體照明年度新聞獎。

報告中，江風益分享了當前硅基氮化鎵LED基礎性工作、硅基氮化鎵LED突破性進展，以及半導體照明的發展。涉及網格襯底技術、位錯利用、薄膜轉移技術、黃光鴻溝、自主研制裝備、V形坑技術、三維V形pn結、發光光譜與內量子效率，無熒光粉、無藍光、低色溫LED氛圍燈，紫外與紅黃光LED等多個熱點話題。當前，實現了硅基氮化鎵LED從裝備到材料、芯片、應用完整技術鏈和產品鏈。發展了一系列新技術，包括自主研制專用MOCVD、新型準備層、三維V形pn結等，解決了高銦組分銦鎵氮材料生長難題。銦鎵氮長波段LED取得了突破性進展：獲得了高光效黃光LED，達到實用化水平，已應用于無熒光粉純LED照明;0.05 A/cm2電流密度下，615nm銦鎵氮紅光LED光效達到14.7%，有望應用于μLED顯示。展望半導體照明，LED技術仍是一片藍海，固態照明有更高的品質需求，不同技術之間融合可催生更多的應用方向，LED技術本身仍存在大量單元技術有待攻克。

(關鍵字：半導體)