摻鎵氧化鋅透明導(dǎo)電膜在高亮度LED芯片中的應(yīng)用

導(dǎo)讀： 廣東半導(dǎo)體照明工程省部產(chǎn)學(xué)研創(chuàng)新聯(lián)盟理事長、中山大學(xué)佛山研究院院長王鋼教授作了題為《摻鎵氧化鋅（GZO）透明導(dǎo)電膜在高亮度LED芯片中的應(yīng)用》的報告...... 關(guān)鍵字： LED芯片 摻鎵氧化鋅

2010年10月15日下午，在第七屆中國國際半導(dǎo)體照明展覽會暨論壇上，廣東半導(dǎo)體照明工程省部產(chǎn)學(xué)研創(chuàng)新聯(lián)盟理事長、中山大學(xué)佛山研究院院長王鋼教授作了題為《摻鎵氧化鋅（GZO）透明導(dǎo)電膜在高亮度LED芯片中的應(yīng)用》的報告。
　　王鋼教授認(rèn)為氧化鋅（ZnO）作為新型的透明電極材料有許多優(yōu)點：ZnO透過率可到95%，p型歐姆接觸可達10-3，與ITO相當(dāng)；但是其化學(xué)穩(wěn)定性比ITO好，熱導(dǎo)率高；ZnO晶體質(zhì)量高，制作可再現(xiàn)性好。此外，還可以通過摻雜Al、In等來改善其導(dǎo)電特性和透過率。
　　王鋼教授指出可以利用MOCVD生長技術(shù)生長單晶納米柱狀結(jié)構(gòu)ZnO透明導(dǎo)電薄膜（GZO）材料，而且他通過各種外延材料及芯片實驗證明，摻鎵氧化鋅（GZO）透明導(dǎo)電膜有其非常獨特的優(yōu)勢：
　　1、Ga:ZnO對可見光高度透明，源于C軸方向上的高度結(jié)晶及高的化學(xué)計量，減少了光的吸收和傳輸時的散射；
　　2、芯片之正向電壓高于Ni/Au0.24V，源于外延片表面未加隧道層；
　　3、芯片之Iv的提高，源于GaN:Ga:ZnO界面形成時增加了P-GaN表面的空穴濃度、高透明度、低電阻率和自組織化圓冠狀的表面層。