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為了提高LED芯片的出光效率，人們想了許多辦法。比如，當(dāng)前市場上出現(xiàn)了許多亮度較高的ITO芯片的led，GaN基白光LED中如果用ITO替代Ni/Au作為P型電極芯片的亮度要比采用通用電極的芯片高20％－30％。
ITO是英文IndiumTinOxides的縮寫，意思是「氧化銦錫」。與其它透明的半導(dǎo)體導(dǎo)電薄膜相比，ITO具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性。對襯底具有良好的附著性和圖形加工特性。
ITO為一種N型氧化物半導(dǎo)體，作為納米銦錫金屬氧化物，具有很好的導(dǎo)電性和透明性，可以切斷對人體有害的電子輻射，紫外線及遠(yuǎn)紅外線。因此，噴涂在玻璃，塑料及電子顯示屏上后，在增強(qiáng)導(dǎo)電性和透明性的同時(shí)切斷對人體有害的電子輻射及紫外、紅外。ITO透明導(dǎo)電膜是平面顯示器上重要之組件，其特性會(huì)與鍍膜制程中的參數(shù)及材料有密切的關(guān)系。
在眾多可作為透明電極的材料中，ITO(IndiumTinOxide)是被最廣泛應(yīng)用的一種，ITO薄膜即銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜,通常有兩個(gè)性能指針:電阻率和透光率。主要是由于ITO可同時(shí)具有低電阻率及高光穿透率的特性，符合了導(dǎo)電性及透光性良好的要求。在氧化物導(dǎo)電膜中，以摻Sn的In2O3(ITO)膜的透過率最高和導(dǎo)電性能最好，而且容易在酸液中蝕刻出細(xì)微的圖形。
我們?nèi)绻麃砜雌浯┩嘎剩渫高^率已達(dá)90%以上，ITO的透過率和阻值分別由In2O3與Sn2O3之比例來控制，通常比例是為Sn2O3:In2O3=1:9。
