近來,有多家半導(dǎo)體設(shè)備巨頭相繼公布最新財報數(shù)據(jù),并對2024年的發(fā)展前景做了展望,其中“HBM”成了財報里的高頻詞匯,不僅被反復(fù)提及,還被各大廠商視為半導(dǎo)體設(shè)備增長的新動能。
HBM有何獨特之處?
HBM即高帶寬內(nèi)存,屬于圖形DDR內(nèi)存的一種,是將高性能DRAM裸片堆疊起來,并通過先進封裝與邏輯芯片相連接,通過增加帶寬,擴展內(nèi)存容量,讓更大的模型,更多的參數(shù)留在離核心計算更近的地方,從而減少內(nèi)存和存儲解決方案帶來的延遲。故而,HBM被認為是使數(shù)據(jù)中心具備AI承載能力的關(guān)鍵。
自2014年首款硅通孔HBM產(chǎn)品問世以來,HBM技術(shù)已經(jīng)發(fā)展至第四代,最新的HBM3帶寬、堆疊高度、容量、I/O速率等較初代均有多倍提升。
由于HBM使用的芯片比標(biāo)準(zhǔn)DRAM大兩倍以上,意味著生產(chǎn)相同體積的芯片需要兩倍以上的容量,這也促使DRAM從傳統(tǒng)2D加速走向立體3D,從而突破了內(nèi)存容量與帶寬瓶頸,成為新一代的DRAM技術(shù)路線之一。
市場三分天下,半導(dǎo)體設(shè)備廠商或受益HBM技術(shù)變革
目前,全球HBM市場呈現(xiàn)“三分天下”的局面,存儲芯片三巨頭SK海力士、三星和美光分別占到53%、38%和9%的市場份額(數(shù)據(jù)來源:TrendForce),而SK海力士則是唯一具備量產(chǎn)新世代HBM3能力的供應(yīng)商。
(關(guān)鍵字:半導(dǎo)體)